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AGM301A1

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-06-24 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM301A1詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

●產(chǎn)品概述

AGM301A1結(jié)合了先進的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

●產(chǎn)品應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronous整流 ■POL應(yīng)用■BLDC電機驅(qū)動

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●產(chǎn)品概述

AGM301A1結(jié)合了先進的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

●產(chǎn)品應(yīng)用

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芯控源AGM301A1詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

●產(chǎn)品概述

AGM301A1結(jié)合了先進的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

●產(chǎn)品應(yīng)用

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AGM301A1結(jié)合了先進的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。