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AGM312D

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-07-01 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM312D詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 20A，功率(Pd): 31W

●產(chǎn)品概述

AGM312D將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用

●產(chǎn)品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可將導(dǎo)電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試

●應(yīng)用

■ MB/VGA Vcore ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應(yīng)用 ■ BLDC電機驅(qū)動器

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芯控源AGM312D詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 20A，功率(Pd): 31W

●產(chǎn)品概述

AGM312D將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用

●產(chǎn)品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可將導(dǎo)電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試

●應(yīng)用

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芯控源AGM312D詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 20A，功率(Pd): 31W

●產(chǎn)品概述

AGM312D將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用

●產(chǎn)品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可將導(dǎo)電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試

●應(yīng)用

■ MB/VGA Vcore ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應(yīng)用 ■ BLDC電機驅(qū)動器

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芯控源AGM312D詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 20A，功率(Pd): 31W

AGM312D將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用

■ 先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可將導(dǎo)電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試