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作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時間：2024-09-02 瀏覽次數(shù)：
TK18A50D(STA4,Q,M)東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動，單N溝道器件，將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合，
以提供多種電壓和RDS（ON）額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源極電壓范圍為250V至650V，
漏極電流范圍為2A至20A。Vishaiπ-MOS VII MOSFET提供TO-220-3和TO-252通孔封裝以及緊
湊型DP AK-3和PW-Mold-3表面貼。
開關(guān)調(diào)節(jié)器應(yīng)用程序
低漏源導通電阻：RDS（導通）=0.22（典型值）
· 高前向傳輸允許度:Yfs = 8.5 S（典型值）
低泄漏電流:I DSS=10μA（最大值）（VDS=500 V）
· 增強模式:Vth=2.0至4.0 V（VDS=10 V，ID=1 mA）
注1:請在通道溫度低于150°C的條件下使用設(shè)備。
注2：VDD=90伏，Tch=25°C（初始值），L=2.8毫安，RG=25Ω，IAR=18安培
注3:重復額定值:脈沖寬度受最大通道溫度的限制
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