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TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）

TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-09-14 瀏覽次數(shù)：

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設計，有各種型號可供選擇。

Si N溝道MOSFET具有低漏源導通電阻和快速反向恢復能力。這些MOSFET可輕松控制柵極開關。

TK16x60W MOSFET有各種尺寸可選，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和

TO-220SIS不同封裝。這些 TK16x60W Si N溝道MOSFET用于開關穩(wěn)壓器。

特性

低漏極-源極導通電阻RDS(ON) ：0.16?至0.196Ω
易于控制的柵極開關
增強模式Vth ：2.7V至4.5V

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